تخطط شركة Yangtze Memory Technologies Corp. (YMTC)، الرائدة في صناعة ذاكرة NAND فلاش في الصين، لدخول سوق DRAM. وتسعى الشركة للشراكة مع ChangXin Memory Technologies (CXMT) للتركيز على ذاكرة النطاق العريض (HBM) المستخدمة في مسرعات الذكاء الاصطناعي.
وإذا مضت الخطط قدمًا، ستجمع هذه الشراكة بين أبرز لاعبي NAND وDRAM في الصين، ما يعكس الدور المتزايد لذواكر HBM في الصناعة.
تضيف تغييرات السياسات الأمريكية مزيدًا من التعقيد. فقد فرض مكتب الصناعة والأمن في ديسمبر 2024 ضوابط واضحة على HBM وشدد القيود على الوصول إلى أدوات صناعة الرقائق، مما يعقد جهود الصين لتوسيع إنتاج الذاكرة المتقدمة.
كما أصبح الترخيص حول المصانع الصينية أكثر تحديدًا؛ على سبيل المثال، فقد فقد مصنع TSMC في نانجينغ وضع الموافقة السريعة، ما يجعل قواعد التصدير تحدد بشكل مباشر توقيت وحجم أي مشروع محلي لـ HBM.
لا تزال هناك فجوات في القدرات. وقد أُفيد أن CXMT أنتجت HBM2 وتتحرك بسرعة نحو HBM3، مع توقعات صينية بأن يبدأ الإنتاج بين 2026 و2027.
ويضع المحللون CXMT بعد منافسيها الكوريين ببضع سنوات، إلا أن التقدم يسير بوتيرة متسارعة. رغم أن الفجوة كبيرة، فإن الصين يمكن أن تبني سلسلة توريد محلية قوية إذا تحسنت التعبئة والتكامل بنفس السرعة.
تجلب YMTC خبرة في الربط الهجين، لكنها تفتقر إلى خبرة DRAM. يستخدم هيكل Xtacking الخاص بها الربط من شريحة إلى شريحة وقد حصل على تقييمات إيجابية من جهات خارجية، ما يجعله مناسبًا لـ HBM مع زيادة ارتفاع التكديس وضرورة إدارة الحرارة.
ويبدأ النظام البيئي المحلي للتعبئة في التشكّل، حيث تطور CXMT وWuhan Xinxin تعبئة HBM، وبدأت Tongfu Microelectronics في عمليات التجميع. وتعد التعبئة المتقدمة، التي تربط الذاكرة بالمعالجات، الآن محور صناعة HBM.
تشير تقارير أخرى إلى أن YMTC تخطط لشراء معدات لأبحاث وتطوير DRAM، وقد تتعاون مع CXMT لتطوير DRAM الجيل التالي لـ HBM وتوسيع الإنتاج على المدى القصير.
ويرى الخبراء أن هذه الشراكة المحتملة تمثل خطوة طويلة الأمد لمنافسة الشركات الكورية، مع توقع أن تتجه منتجات HBM الصينية المبكرة نحو العملاء المحليين بسبب محدودية الوصول إلى الأدوات ومتطلبات تأهيل العملاء.
المصدر